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近年來，在低溫強(qiáng)磁環(huán)境下研究納米尺度的物理學(xué)與材料學(xué)已成為學(xué)術(shù)研究的熱點(diǎn)。在低溫、強(qiáng)磁場下，依據(jù)原子力、磁力等可從物質(zhì)結(jié)構(gòu)、物理特性、溫度、磁場、電學(xué)、光學(xué)、微波等多個(gè)物理維度實(shí)現(xiàn)對樣品性能的表征。它的應(yīng)用非常廣泛，例如研究超導(dǎo)材料、二維材料、拓?fù)浣^緣體等。

芯明天P13A系列壓電納米定位臺(tái)是專為極低溫、強(qiáng)磁環(huán)境而研發(fā)設(shè)計(jì)，采用低溫壓電驅(qū)動(dòng)，外殼采用輕型耐低溫、無磁材料。

產(chǎn)品特點(diǎn)

耐低溫可達(dá)4K

耐強(qiáng)磁

4K溫度下位移達(dá)25μm@150V

4K溫度下分辨率可達(dá)4nm

開環(huán)驅(qū)動(dòng)，快速響應(yīng)

耐真空度達(dá)10^-5mbar

小體積

P13A.XYZ80K低溫壓電定位臺(tái)是P13A系列中的一種，可進(jìn)行XYZ三維掃描運(yùn)動(dòng)，它的體積小巧，尺寸僅46mm×46mm×18.7mm，中心具有5mm×5mm通孔。

位移與電壓曲線

P13A.XYZ80K系列低溫壓電納米定位臺(tái)的內(nèi)部采用低溫PZT壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)，采用電容測微儀對低溫臺(tái)進(jìn)行XYZ三軸位移的測試。

P13A.XYZ80K系列低溫壓電納米定位臺(tái)在常溫下的電壓與位移曲線圖如下圖所示。因PZT壓電陶瓷的耐低溫性，因此在低溫下，P13A.XYZ80K低溫臺(tái)基本可保持與常溫情況下相同的電壓與位移曲線趨勢與較大的位移輸出。

低溫導(dǎo)線

P13A.XYZ80K系列低溫壓電納米定位臺(tái)所有組件均采用低溫兼容版本，以保證其在低溫下的性能，包括導(dǎo)線。

普通導(dǎo)線的電阻在低溫下會(huì)發(fā)生大幅度改變，并且普通導(dǎo)線的外皮絕緣材質(zhì)也不耐低溫環(huán)境。因此，P13A.XYZ80K系列低溫壓電納米定位臺(tái)采用低溫兼容導(dǎo)線，可*勝任低溫下電信號(hào)的傳輸。

技術(shù)參數(shù)

型號(hào)：P13A.XYZ80K

運(yùn)動(dòng)方向：X Y Z

機(jī)構(gòu)原理：壓電驅(qū)動(dòng)杠桿放大機(jī)構(gòu)

精密調(diào)節(jié)范圍（XYZ）：

>66×66×66μm^3@60V、300K溫度

      25×25×25μm^3@150V、4K溫度

驅(qū)動(dòng)電壓：

0~60V@300K溫度

      0~150V@4K溫度

精密調(diào)節(jié)分辨率：

8nm@300K溫度

4nm@4K溫度

諧振頻率：

350Hz@空載

150HZ@100g

120Hz@150g

靜電容量（XY）：

5.4μF@300K溫度

      0.75μF@4K溫度

靜電容量（Z）：

10.8μF@300K溫度

      1.5μF@4K溫度

材料（無磁）：

殼體：鈦

致動(dòng)器：壓電陶瓷

連接線：絕緣雙絞線（銅）

承載能力：150g

重量（含導(dǎo)線、連接器）：168g

外形尺寸：46×46×18.7mm^3

安裝螺紋：

    4個(gè)M2×3負(fù)載安裝孔

    4個(gè)φ2.7安裝通孔

工作環(huán)境：

    安裝方向：XY水平，Z向垂直

    磁場范圍：0~31T

    溫度范圍：10mK~373K

    最小壓強(qiáng)（室溫，低溫）：1^-4mbar

    最小壓強(qiáng)（高真空，低溫高真空）：1^-8mbar

    最小壓強(qiáng)（超高真空，低溫超高真空）：5^-11mbar